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Seminararbeit, 2001, 8 Seiten
Autor: Lars Lendziewski
Fach: Elektrotechnik
Details
Jahr: 2001
Seiten: 8
Sprache: Deutsch
ISBN (E-Book): 978-3-640-03506-9
Dateigröße: 129 KB
Ausarbeitung zum Grundlagenpraktikum 3
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Feldeffekttransistoren
3.1 ,,Aufnahme der Ausgangskennlinien" 3
3.2.1 Versuchsbeschreibung 3
3.2.2 Versuchsdurchführung 4
3.2.3 Messergebnisse 4
3.2.4 Auswertung der Messergebnisse 5
3.3 ,,Verstärkerschaltung" 5
3.3.1 Versuchsbeschreibung 5
3.3.2 Versuchsdurchführung 5
3.3.3 Messergebnisse 6
3.3.4 Auswertung der Messergebnisse 7
3.4 Geräteliste 7
3.5 Anhang 7
3. FET - Kennlinien, FET - Verstärker
3.1 ,,Aufnahme der Ausgangskennlinien"
In folgenden Versuchen sollen die Ausgangskennlinien eines n-Kanal-Feldeffekt-Transistors ermittelt werden.
3.2.1 Versuchsbeschreibung
Grafik 3.2.1 Alt
Es soll die Abhängigkeit des Drainstromes ID von der Drain-Source Spannung UDS, bei verschiedenen Gate-Source Spannungen UGS ermittelt werden. Ursprünglich sollten die Messung an obiger Schaltung (3.2.Alt) durchgeführt werden, da aber die beiden Spannungen zu sehr aufeinander einwirkten wurde die Schaltung zu 3.2.Neu verändert.
Grafik 3.2.1 Neu
Die Drains-Source Spannung kann an der oberen Spannungsquelle verändert werden und die Gate-Source Spannung an der unteren. Es wurde ein Potentiometer eingefügt um Feineinstellung vornehmen zu können. Der Festwiderstand R2 verhindert einen unzulässig hohen Gate-Strom.
3.2.2 Versuchsdurchführung
Gemessen wurde der Drainstrom ID, in Abhängigkeit von der Drain-Source Spannung UDS welche von 0-20V, in Schritten von 0,5V und ab 4V in Schritten von 2V, variiert wurde. Die Gate-Source Spannung wurde auf fünf verschiedene Konstante Werte eingestellt UGS = ( -1,5V ; -1V ; -0,5V ; 0V ; 0,5V ). Die ermittelten Messwerte sind aus der Tabelle 3.2.2 und aus dem Diagram 3.2.3 zu ermitteln.
3.2.3 Messergebnisse
UGS / V | ||||||
UDS / V | -1,5 | -1 | -0,5 | 0 | 0,5 | |
0,0 | 0,00 | 0,00 | 0,00 | 0,00 | 0,00 | |
0,5 | 2,85 | 3,20 | 3,80 | 4,40 | 5,20 | |
1,0 | 5,00 | 5,70 | 5,90 | 7,80 | 9,30 | |
1,5 | 6,50 | 7,60 | 9,10 | 10,40 | 12,50 | |
2,0 | 7,35 | 8,80 | 10,60 | 12,30 | 14,70 | ID / mA |
2,5 | 8,00 | 9,70 | 11,80 | 13,50 | 16,40 | |
3,0 | 8,40 | 10,10 | 12,50 | 14,40 | 17,50 | |
3,5 | 8,70 | 10,50 | 13,00 | 14,90 | 18,30 | |
4,0 | 8,90 | 10,70 | 13,50 | 15,30 | 18,80 | |
6,0 | 9,50 | 11,30 | 14,10 | 16,00 | 19,90 | |
8,0 | 9,70 | 11,60 | 14,50 | 16,20 | 20,20 | |
10 | 9,90 | 11,80 | 14,60 | 16,30 | 20,20 | |
12 | 10,00 | 12,00 | 14,60 | 16,40 | 20,10 | |
14 | 10,20 | 12,00 | 14,70 | 16,50 | 20,00 | |
16 | 10,20 | 12,00 | 14,70 | 16,50 | 19,80 | |
18 | 10,20 | 12,10 | 14,70 | 16,50 | 19,50 | |
20 | 10,30 | 12,30 | 14,70 | 16,50 | 19,20 | |
Tabelle 3.2.2
3.2.4 Auswertung der Messergebnisse
Die eigentliche Auswertung ist laut Aufgabenstellung durch das Auftragen der Messergebnisse in Diagramm 3.2.3 erfolgt.
Im Verlauf der Kurve 0,5 ist ein Rückgang der Gate-Source Spannung UGS zu erkennen. Diese ist auf die Erwärmung der Bauteile und das somit veränderte Verhalten zurückzuführen.
Die Richtigkeit der Messungen kann im Datenblatt des Bf245C, im Anhang, überprüft werden.
3.3 ,,Verstärkerschaltung"
Hier wird der FET als Verstärker in Source Schaltung, messtechnisch untersucht.
3.3.1 Versuchsbeschreibung
Grafik 3.3.1
In folgendem Versuch soll die Eigenschaft des Feldeffekt-Transistors als Verstärker ermittelt werden. Damit zwischen Betriebs- und Signalspannung unterschieden werden kann, wird der FET, wie in Grafik 3.3.1 ersichtlich, als reiner Wechselstromverstärker eingesetzt.
3.3.2 Versuchsbeschreibung
Die Versuchsplatine wurde mit einer Gleichspannungsquelle, welche auf 20V eingestellt ist, bestückt. Weiterhin wurde ein Frequenzgenerator mit USS = 0,3V,
f = 1khz, sowie ein Oszilloskop verwendet. Mit dem Potentiometer wird die Ausgangsspannung UA soweit erhöht bis eine Verzerrung auftritt.
Weiterhin sollen die Ausgangsspannungen in Abhängigkeit von der Frequenz aufgenommen werden, hierzu wird die Frequenz am Generator verändert. Es soll die Frequenz ermittelt werden, bei der die Spannung auf 70,7% ihres Ausgangswertes bei 1kHz gesunken ist. Die Messergebnisse werden in Tabelle 3.3.2 und in dem Diagramm 3.3.3 ausgewiesen.
3.3.3 Messergebnisse
Max. Verstärkung:
UE(SS) = 0,3 V ; UA(SS) = 5,2 V
f / kHz | UA(f) / V |
1...35 | 5,2 |
40 | 5,1 |
50 | 5,0 |
70 | 4,9 |
80 | 4,8 |
90 | 4,7 |
100 | 4,6 |
110 | 4,5 |
120 | 4,3 |
130 | 4,2 |
140 | 4,1 |
150 | 4,0 |
160 | 3,9 |
170 | 3,8 |
180 | 3,7 |
190 | 3,6 |
200 | 3,5 |
Tabelle 3.3.2
3.3.4 Auswertung der Messergebnisse
Spannungsverstärkung :
VU = 17,33
Grenzfrequenz :
Die Grenzfrequenz liegt bei 70,7% der maximalen Ausgangsspannung bei 1kHz (5,2V). Dies entspricht einer Dämpfung von 3dB. Rechnerisch ergibt sich somit ein Wert von 3,68V. Aus der Tabelle 3.3.2 kann ermittelt werden dass sich dieser Wert, annährend bei 180 kHz einstellt. Dies entspricht auch den durchgeführten, direkten, Messungen.
UA(-3dB) = 3,68 V ; fO = 180 kHz
3.4 Geräteliste
- 2 Multimeter Fluke 8021B (Nr. 3765157; 3765239)
- 1 Multimeter Siemens (Nr. 433b)
- 2 Spannungsquellen 0-30V Delta Elektronika (Nr. 17139; 15132)
- 1 Experimentierplatine (FET-Bf245C)
- 1 Oszilloskop Tektronix TDS 210 (GegNr. 350)
- 1 Frequenz Generator Toellner TOE 7402 (Nr. 35528)
- Diverse Messkabel
3.5 Anhang
- Messprotokoll (2 Seiten)
- Aufgabenstellung (3 Seiten)
- Datenblatt Bf245C (11 Seiten)
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