In dieser Arbeit werden mit Inductively Coupled Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition (ICPECVD)-Verfahren abgeschiedene Siliziumnitridfilme untersucht. Zur Charakterisierung wurden mehrere Parameter wie Plasmaleistung, Substrattemperatur, Depositionszeit und Verhältnis der Prozessgase variiert und anschließend die Eigenschaften der Filme untersucht und verglichen.
Die untersuchten Eigenschaften der abgeschiedenen Filme sind die deponierte Schichtdicke, die Brechzahl des Films, die Oberflächenbeschaffenheit sowie die Rauheit der Filmoberfläche. Die Brechzahl und die Schichtdicke der Filme sind mithilfe der Ellipsometrie ermittelt worden. Die Oberflächenbeschaffenheit und die Rauheit wurden mit dem Rasterkraftmikrosop untersucht.
Inhaltsverzeichnis
- Symbol- und Abkürzungsverzeichnis
- 1 Einleitung
- 2 Grundlagen zum Depositionsverfahren
- 2.1 CVD Verfahren
- 2.2 Filmwachstum
- 2.3 Reaktoraufbau
- 3 Grundlagen zur Charakterisierung der Proben
- 3.1 Messung am Ellipsometer
- 3.2 Oberflächenuntersuchung am AFM
- 4 Probenpräparation
- 5 Darstellung und Diskussion der Ergebnisse
- 5.1 Untersuchung der Depositionsrate und der Brechzahl
- 5.1.1 Depositionsrate
- 5.1.2 Brechzahl
- 5.2 Topografische Aufnahmen am AFM
- 5.1 Untersuchung der Depositionsrate und der Brechzahl
- 6 Zusammenfassung
- Literatur
- Abbildungsverzeichnis
- Tabellenverzeichnis
Zielsetzung und Themenschwerpunkte
Die vorliegende Bachelorarbeit untersucht Siliziumnitridfilme, die mit dem Inductively Coupled Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition (ICPECVD)-Verfahren abgeschieden wurden. Ziel ist es, die Auswirkungen verschiedener Depositionsparameter wie Plasmaleistung, Substrattemperatur, Depositionszeit und Gasverhältnis auf die Eigenschaften der Filme zu erforschen und zu analysieren.
- Charakterisierung der Eigenschaften von Siliziumnitridfilmen, die mit dem ICPECVD-Verfahren hergestellt wurden
- Untersuchung des Einflusses der Depositionsparameter auf die Eigenschaften der Siliziumnitridfilme
- Analyse der Depositionsrate und der Brechzahl der Filme
- Bewertung der Oberflächentopografie der Filme mittels AFM
- Optimierung der Prozessparameter zur Erzeugung von Siliziumnitridfilmen mit gewünschten Eigenschaften
Zusammenfassung der Kapitel
Das erste Kapitel bietet eine Einleitung in das Thema und erläutert die Bedeutung von Siliziumnitrid in der Mikroelektronik und für keramische Beschichtungen. Kapitel 2 beschreibt die Grundlagen des CVD-Verfahrens, insbesondere das Filmwachstum und den Aufbau des Reaktors. Kapitel 3 behandelt die Charakterisierungstechniken, die in der Arbeit verwendet werden, darunter die Messung am Ellipsometer und die Oberflächenuntersuchung mittels AFM. Kapitel 4 erläutert die Probenpräparation, während Kapitel 5 die Ergebnisse der Untersuchungen präsentiert und diskutiert. In diesem Kapitel werden die Depositionsrate, die Brechzahl und die Oberflächentopografie der Filme untersucht und analysiert. Schließlich fasst Kapitel 6 die wichtigsten Erkenntnisse der Arbeit zusammen.
Schlüsselwörter
Siliziumnitrid, ICPECVD, Deposition, Charakterisierung, Depositionsrate, Brechzahl, AFM, Oberflächentopografie, Prozessparameter, Mikroelektronik, keramische Beschichtung.
- Arbeit zitieren
- Stefan Zaengler (Autor:in), 2014, Plasmaunterstützte Abscheidung und Charakterisierung von Siliziumnitridfilmen, München, GRIN Verlag, https://www.grin.com/document/1001886
